[实用新型]一种抛光后非接触式测量硅片平坦度的装置有效
| 申请号： | 202121645744.0 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN216206092U | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴文军;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/30 | 分类号： | G01B11/30 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆懿 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种抛光后非接触式测量硅片平坦度的装置，包括一支撑架，还包括一直线滑台机构，所述直线滑台机构的滑台的滑动方向为横向，所述直线滑台机构安装在所述支撑架的顶部，所述直线滑台机构的滑台上安装有相邻设置的激光位移传感器以及吹气管；所述吹气管通过一输气管路连接氮气瓶；所述吹气管的出气方向为朝下；所述激光位移传感器的感应方向为朝下。本专利通过激光位移传感器检测与硅片不同区域处的距离，进而可以获知硅片表面的平坦度。实现了硅片表面平坦度的无接触式测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 接触 测量 硅片 平坦 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司，未经上海中欣晶圆半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121645744.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
