[实用新型]一种发光二极管芯片结构及发光二极管

摘要

本实用新型公开了一种发光二极管芯片结构及发光二极管，所述发光二极管芯片结构的外延层包括N‑GaN层和位于所述N‑GaN层上方的P‑GaN层，其中，P‑GaN层两侧为MESA刻蚀区，所述P‑GaN层上自下而上依次设置CBL电流阻挡层、I TO电流扩展层、PSV钝化层和NP电极结构层，所述NP电极结构层包括N电极和P电极，其中，所述MESA刻蚀区为平台结构，所述CBL电流阻挡层包括阻挡盘，所述I TO电流扩展层和MESA刻蚀区光刻图形在所述CBL电流阻挡层的阻挡盘上方开有小于所述阻挡盘直径的贯穿孔，所述P电极通过所述贯穿孔与所述P‑GaN层接触。相对于现有技术，本实用新型在不损失光电性能的前提下，提高了发光二极管的生产效率。