[实用新型]上电极组件和半导体工艺设备有效
| 申请号： | 202121736555.4 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN215896300U | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李凯;王家祥;王一帆;符雅丽;张鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/02;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种上电极组件和半导体工艺设备，上电极组件包括：上电极盖板，上电极盖板用于设置在反应腔室的顶部开口上；匀流板，匀流板设置于上电极盖板朝向反应腔室一侧的表面上；接触电极，接触电极设置于匀流板背离上电极盖板的一侧的表面上；阻抗环，阻抗环固定于匀流板上，阻抗环环绕于接触电极的外周，阻抗环为介质材质，且阻抗环的电导率小于接触电极的电导率；接触电极背离匀流板一侧的表面位于阻抗环环绕区域内，且与阻抗环背离匀流板一侧的表面之间具有预设间距。上述上电极组件能够缓解目前反应腔室内边缘处和中心区域内等离子体的浓度仍然存在一定差异的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 组件 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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