[实用新型]一种磁芯结构及电磁耦合装置有效
| 申请号： | 202121741435.3 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN215069572U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 孙顺根 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24;H01F27/26 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种磁芯结构及电磁耦合装置。其中，所述磁芯结构包括第一磁芯和第二磁芯，第一磁芯包括主体部和两个侧柱，两个侧柱与主体部固定连接，两个侧柱的远离主体部的端面上分别设置有凸起结构，凸起结构在第一磁芯和第二磁芯装配在一起后抵接于第二磁芯的表面，以在两个侧柱的远离主体部的端面与第二磁芯的表面之间形成间隙。本实用新型所公开的磁芯结构及电磁耦合装置能够精确控制两片磁芯之间的气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 电磁 耦合 装置 | ||
【主权项】：
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