[实用新型]一种ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统有效
申请号: | 202121743755.2 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN215828863U | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 邾根祥;朱沫浥;方辉;李东明;刘盼盼 | 申请(专利权)人: | 合肥科晶材料技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/507;C23C16/458 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 邢彬 |
地址: | 231202 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统,属于薄膜材料制备领域。一种ALD与CVD配合使用的薄膜材料制备系统,包括:射频单元、反应腔和注入单元;所述射频单元通过产生交变磁场在所述反应腔的内部生成感应电流;所述反应腔的内部设置有反应座;所述反应腔与所述注入单元连接;所述注入单元包括混合罐和喷头;与现有技术相比,本实用新型通过在反应腔体外部加上PE功能,利用射频电源产生的交变磁场在反应腔内感应交变电流,使反应气体产生高密度等离子体,从而促进薄膜的沉积和生长;同时喷头采用特殊的流道设计,可使气体或者蒸汽均匀地传递和分散到反应腔体中。 | ||
搜索关键词: | 一种 ald cvd 配合 使用 薄膜 材料 制备 系统 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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