[实用新型]一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备

摘要

本实用新型提供了一种适用于硅外延片电阻率测量前处理的设备，包括装置本体、设备内壁、反应室、石英架、电极、进气口、出气口、感应线圈；所述设备内壁位于所述装置本体内部，所述反应室位于所述设备内壁内部，所述感应线圈位于所述设备内壁外侧，所述电极位于所述反应室内部并相对放置，所述石英架置于所述电极内部，所述进气口位于所述电极负极一侧，所述出气口位于所述电极的正极一侧。其中本实用新型的有益效果是：利用高活性的氧等离子体对外延片表面进行处理，以破坏不稳定的Si‑X杂键(‑X可以是任何可能的不稳定或非需要的键型)，而得到稳定的硅‑氧键。