[实用新型]一种退火设备有效
申请号: | 202121770964.6 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN216084799U | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 张辉;杨晖;金贤胜 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种退火设备,所述退火设备包括用于承载超导量子芯片的承载台,所述超导量子芯片包括至少一个具有约瑟夫森结的量子比特,还包括喷气组件,用于将具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流发射至所述约瑟夫森结以实现对所述约瑟夫森结的退火处理,本实用新型提供的退火设备设置有可喷射出具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流的喷气组件,所述气流通过喷气组件喷射在约瑟夫森结上,对约瑟夫森结进行加热,从而改变量子比特的频率,本实用新型提供的退火设备采用具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流作为热源,对约瑟夫森结进行退火操作,从而实现对量子比特的频率参数进行调节的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 退火 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造