[实用新型]三维芯片和存储器有效

专利信息
申请号: 202121801229.7 申请日: 2021-08-03
公开(公告)号: CN215266298U 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 王慧梅;周小锋 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/52;H01L23/58;H01L27/10
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 王春艳
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 本申请实施例公开了一种三维芯片和存储器。三维芯片包括至少两个晶圆,至少两个晶圆之间通过导电结构三维堆叠连接。导电结构包括至少一个第一导电结构和至少一个第二导电结构,第一导电结构与第二导电结构相邻设置,第二导电结构接地;或导电结构包括至少两个第三导电结构,至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离。本申请实施例通过第一导电结构与第二导电结构相邻设置,并且第二导电结构接地,缩短了信号的回流路径,降低信号在第一导电结构上传输时发生的串扰,或设置至少两个第三导电结构之间的距离大于预设距离,降低了信号在第三导电结构上传输时发生的串扰,从而提高了三维芯片的使用可靠性。
搜索关键词: 三维 芯片 存储器
【主权项】:
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