[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 202121815072.3 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN215731679U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;王希敏 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/482;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括衬底和依次层叠设在衬底上的外延层、电极层、金属结构、焊料层和热沉，外延层形成有至少一个电流注入区和位于电流注入区两侧的非电流注入区，其中，金属结构位于每个非电流注入区上。电极层表面形成P面电极，芯片和热沉焊接时，N面加压力，高起的金属结构起到有效的支撑；电流注入区不受力，通过焊料层熔化焊接热沉时，熔化的焊料处于自由流动状态，能完全填充衬底上各层没有整层覆盖的区域，减小应力的积聚和受力不均匀导致的芯片变形问题，实现焊料层完全包裹金属结构和电极层，电极层和金属结构的组合与焊料层之间相互卡合、包裹，有效降低焊接应力，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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