[实用新型]一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置有效
| 申请号： | 202121838296.6 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN215815838U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 谢文华;任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/522;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 朱鹏程 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置，结构依照封装工序依序包括散热载片、氮化镓HEMT芯片、第一封装胶层、扇出线路层、MOSFET芯片、第二封装胶层及金属岛层。扇出线路层的源极内岛形成于偏离氮化镓HEMT芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,栅极线路位于源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的源极外岛导通互连MOSFET芯片的第二源极垫与栅极线路,使MOSFET芯片的源极短路径连接氮化镓HEMT芯片的栅极，MOSFET芯片位于不同于氮化镓HEMT芯片的封装胶层中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 hemt 芯片 整合 封装 结构 电子 装置 | ||
【主权项】：
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