[实用新型]一种碳化硅单晶生长炉用籽晶位测量装置有效

专利信息
申请号: 202121845606.7 申请日: 2021-08-09
公开(公告)号: CN215491409U 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 张冬;李文勇;陈荣坤;马敬军 申请(专利权)人: 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司
主分类号: G01B5/00 分类号: G01B5/00;G01C9/24;C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 054001 河*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉用籽晶位测量装置,涉及碳化硅单晶生长技术领域;测量板的底部安装有限位板,测量板的外表面设置有刻度线层,测量板活动连接在数显式测量滑套上的测量槽内,且数显式测量滑套上安装有显示屏,数显式测量滑套的后端连接有锁紧螺栓,且锁紧螺栓的头部与数显式测量滑套的后侧壁相接触,数显式测量滑套的后端安装有导向套,滑杆活动连接在导向套的导向孔内,卡接式滑套上开设有调节槽;本实用新型能够实现快速固定与调节,便于准确的测量,稳定性高,操作简便;节省了测量的时间,同时方便手持,结构简单,同时提高了效率,减少了由于观察习惯不同造成的人为读数误差,保证了准确性。
搜索关键词: 一种 碳化硅 生长 籽晶 测量 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北天达晶阳半导体技术股份有限公司,未经河北天达晶阳半导体技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202121845606.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top