[实用新型]一种碳化硅单晶生长炉用籽晶位测量装置有效
申请号: | 202121845606.7 | 申请日: | 2021-08-09 |
公开(公告)号: | CN215491409U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 张冬;李文勇;陈荣坤;马敬军 | 申请(专利权)人: | 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司 |
主分类号: | G01B5/00 | 分类号: | G01B5/00;G01C9/24;C30B29/36;C30B35/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 054001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉用籽晶位测量装置,涉及碳化硅单晶生长技术领域;测量板的底部安装有限位板,测量板的外表面设置有刻度线层,测量板活动连接在数显式测量滑套上的测量槽内,且数显式测量滑套上安装有显示屏,数显式测量滑套的后端连接有锁紧螺栓,且锁紧螺栓的头部与数显式测量滑套的后侧壁相接触,数显式测量滑套的后端安装有导向套,滑杆活动连接在导向套的导向孔内,卡接式滑套上开设有调节槽;本实用新型能够实现快速固定与调节,便于准确的测量,稳定性高,操作简便;节省了测量的时间,同时方便手持,结构简单,同时提高了效率,减少了由于观察习惯不同造成的人为读数误差,保证了准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 生长 籽晶 测量 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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