[实用新型]一种半导体芯片制造离子注入设备有效

专利信息
申请号: 202121873249.5 申请日: 2021-08-11
公开(公告)号: CN216354060U 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 张玲 申请(专利权)人: 扬州信尚电子科技有限公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J37/317;H01L21/265
代理公司: 上海氦闪专利代理事务所(普通合伙) 31354 代理人: 李明;袁媛
地址: 225100 江苏省扬*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种半导体芯片制造离子注入设备,具体涉及离子注入机技术领域,包括真空罐和离子源,真空罐的上端面设置有用于固定离子源的固定机构,固定机构包括与真空罐上端面固定连接的第一连接块和与离子源外壁固定连接的第二连接块,第一连接块的上端面固定安装有弹性轴,弹性轴的轴向一端延伸至第二连接块的内腔通过设置第一连接块与第二连接块,其中第一连接块与第二连接块分别与离子源和真空罐连接,同时在第一连接块外壁设置与第二连接块内腔插接的弹性轴,另外在第二连接块的内腔滑动安装顶针,通过顶针刺入弹性轴的内部,使得弹性轴沿径向扩张,完成第一连接块与第二连接块的固定,实现离子源的固定安装,操作便捷。
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 制造 离子 注入 设备
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