[实用新型]基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置有效

专利信息
申请号: 202121924808.0 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN215440756U 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 沈恒文;金修领;郝小峰;吉双平;刘彤辉;程宣林 申请(专利权)人: 江苏艾匹克半导体设备有限公司
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B28/12
代理公司: 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 代理人: 陆婉
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提出了一种基于离子注入片的单片外延炉温度控制装置,包括外延炉本体,所述外延炉本体的底部设置有大盘,所述大盘内部设置有温度控制装置,所述温度控制装置与大盘之间设置有卡扣组件,所述卡扣组件的底部与大盘的底壁相抵且二者之间固定连接,所述卡扣组件设置有若干个且均匀分布在大盘内,所述温度控制装置的本体插入到卡扣组件内且与卡扣组件之间可拆卸连接,借此,本实用新型具有实现外延炉温度控制装置与大盘之间进行固定的优点。
搜索关键词: 基于 离子 注入 单片 外延 炉温 控制 装置
【主权项】:
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