[实用新型]一种碳化硅MPS二极管结构有效
| 申请号： | 202121941689.X | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN215527735U | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 | 申请（专利权）人： | 北京利宝生科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/04 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上方设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mps 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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