[实用新型]图像传感器

摘要

本实用新型公开了一种图像传感器，包括半导体结构层，半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的沟槽隔离结构，沟槽隔离结构内设有第一电容极板和第二电容极板，第一电容极板和第二电容极板共同形成电容，电容电性连接于转换增益控制晶体管和复位晶体管之间。通过将电容设于沟槽隔离结构内，电容的设计不受像素大小及版图布局的限制，电容值可以做得更大，在降低低增益数值的同时，保持了像素高增益数值的特点，以得到更高的高低增益比例，为更好的HDR性能提供可能性，而且也不会影响沟槽隔离结构的性能。