[实用新型]等离子体刻蚀设备及其导流装置有效

专利信息
申请号: 202122112292.6 申请日: 2021-09-02
公开(公告)号: CN216054570U 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 张涛;喻兵;伍修颀;张彬彬;苏财钰 申请(专利权)人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑义
地址: 402760 重庆市璧*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型涉及一种等离子体刻蚀设备及其导流装置。所述等离子体刻蚀设备包括具有进气口和出气口的反应室,所述反应室内设有晶舟,所述导流装置包括:挡板,设置于所述反应室内并朝向所述进气口;罩体,连接在所述挡板上并向所述出气口延伸,所述罩体在从所述进气口到所述出气口的方向上与所述晶舟相对设置,所述罩体平行于所述挡板的截面面积沿远离所述挡板的方向逐渐增大;以及容纳腔,由所述罩体和所述晶舟限定出空间;其中,所述挡板具有连通所述容纳腔内外的第一进气孔,所述罩体具有连通所述容纳腔内外的第二进气孔,所述第一进气孔的中心线与所述第二进气孔的中心线不平行。本申请可以解决刻蚀均一性较差,影响刻蚀效果的问题。
搜索关键词: 等离子体 刻蚀 设备 及其 导流 装置
【主权项】:
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