[实用新型]一种提高MIM电容布线资源的版图结构有效
申请号: | 202122117945.X | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN215834524U | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 梁丕振 | 申请(专利权)人: | 深圳市爱协生科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 卢正伟 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及电容技术领域,尤其是一种提高MIM电容布线资源的版图结构,包括下电极层,所述下电极层的顶部设置有介质层,所述介质层上沿单纵向或单横向规则排列有多组通孔,且介质层上设置有走线区,所述通孔的顶部覆盖有上电极层,所述上电极层的延伸方向与通孔的排列方向相同、且通过通孔与介质层连通,减少通孔和上电极层连线的空间,提高了其它布线资源的利用,从而解布线困难问题,因此可能会减少Metal层数,或者减少扩大面积的机会,从而减少成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 mim 电容 布线 资源 版图 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的