[实用新型]一种高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件有效
| 申请号： | 202122129409.1 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN215771158U | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;周锦程;杨卓;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型的高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，设有有源区及其外围的终端区，有源区包括第一导电类型衬底及其上方的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面设置有沟槽，相邻沟槽之间外延层的表面设有第二导电类型体区，其表面设有第一导电类型源区，沟槽与第一导电类型源区的上方设有第二类绝缘介质，其上方设有通过通孔与第一导电类型源区、第二导电类型体区欧姆接触的源极金属，在俯视平面上，有源区内至少设有一块高雪崩耐量区，高雪崩耐量区与有源区的不同在于：第一导电类型外延层的底部设有第一导电类型阱区，第二导电类型体区的表面未设置第一导电类型源区，能够解决小电感条件下功率半导体器件雪崩耐量较小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 耐量高 可靠性 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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