[实用新型]一种MOSFET、IGBT封装集成结构有效
| 申请号： | 202122184580.2 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN215896390U | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 依志强;朱建新 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 吉林新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙) 22216 | 代理人： | 纪尚 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOSFET、IGBT封装集成结构，包括双向齐纳二极管、MOSFET或者IGBT、TVS二极管，其中双向齐纳二极管并联于MOSFET的GS极或者IGBT的GE极之间，TVS二极管并联于MOSFET的DS极或者IGBT的CE极之间，TVS二极管为单向瞬态电压抑制二极管，其负极与MOSFET的D极或者IGBT的C极相连，本实用新型能够使MOSFET、IGBT产品栅极耐压能力，抗电压冲击能力增强，并且不容易发生ESD和EAS失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet igbt 封装 集成 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
