[实用新型]一种BGA芯片植锡球模块有效
| 申请号： | 202122190967.9 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN215731614U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黎艺华 | 申请（专利权）人： | 黎艺华 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市圳博友邦专利代理事务所(普通合伙) 44600 | 代理人： | 陈烈军 |
| 地址： | 517000 广东省河源*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种BGA芯片植锡球模块，包括基板，所述基板的上表面设有植锡球区，所述植锡球区的表面向下凹陷形成锡球槽，所述植锡球区的四边设有定位块，所述基板的侧边开设有脱板孔。本实用新型提供了一种能够方便芯片植锡球的模块，且通过该模块植锡球能够达到锡球饱满，避免虚焊等效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bga 芯片 植锡球 模块 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
