[实用新型]一种基于GaAs衬底的低功耗50~4000MHz低噪放芯片有效
| 申请号： | 202122207302.4 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN215528966U | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 龚德嘉 | 申请（专利权）人： | 四川泊微科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/195 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，包括陶瓷基板和芯片本体，芯片本体通过导电胶粘接于陶瓷基板上；陶瓷基板上设置有第一隔直电容、滤波电容、扼流电感、射频输入焊盘和射频输出焊盘，射频输入信号依次通过第一隔直电容和射频输入焊盘后输入至芯片本体的射频输入端，芯片本体输出的射频输出信号通过射频输出焊盘输出。本实用新型将直流的电源输入焊盘和射频输出焊盘共用，可以节省芯片本体内部元件布局的空间；同时，第一隔直电容、滤波电容和扼流电感均布置在芯片本体外部的陶瓷基板上，这样做可以节省裸芯片本体的面积，还可以灵活方便的调节和选用外部元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas 衬底 功耗 50 4000 mhz 低噪放 芯片 | ||
【主权项】：
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