[实用新型]射频功率芯片封装结构有效
| 申请号： | 202122461581.7 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN215815875U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 魏国 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种射频功率芯片封装结构。所述射频功率芯片封装结构包括：封装框架以及被封装在所述封装框架内的射频功率芯片、输出匹配电路组件和第一焊盘，其中，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件固定设置在一封装基岛上，且所述射频功率芯片还与所述输出匹配电路组件电连接；以及，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件还与所述第一焊盘电连接。本实用新型提供的射频功率芯片封装结构，射频功率芯片主体部分采用QFN封装方式进行封装，输出匹配电路组件通过LGA方式与射频功率芯片集成设置在同一封装基岛上，使得该射频功率芯片封装结构既具有优异的电性能和散热性能，又降低了输出匹配的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 功率 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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