[实用新型]硅三维沟槽电极探测器有效
| 申请号： | 202122667267.4 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN216209942U | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘美萍;唐勇;何鑫;潘雪洋;刘文富 | 申请（专利权）人： | 黄淮学院 |
| 主分类号： | G01V3/00 | 分类号： | G01V3/00 |
| 代理公司： | 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344 | 代理人： | 王云峰 |
| 地址： | 463100 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅三维沟槽电极探测器，其结构包括二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层上依次设有硅基体和外围电极，所述外围电极为中空的直六棱柱状，所述硅基体包括基体部分和嵌套部分，所述基体部分的横截面尺寸与二氧化硅保护层的相同，所述嵌套部分的一半横截面尺寸与二氧化硅保护层的相同，另一半为半腰圆形，内嵌在外围电极内，所述外围电极内还设有中心电极，外围电极与中心电极间、外围电极与嵌套部分间填充有隔离硅体；本实用新型的内部电势分布均匀，响应时间短，电荷收集效率、抗辐射性能均有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 沟槽 电极 探测器 | ||
【主权项】：
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