[实用新型]一种NMOS作为高边开关的驱动电路有效
| 申请号： | 202122780094.7 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN216252682U | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 杨宗禄 | 申请（专利权）人： | 深圳禄华科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 深圳汇策知识产权代理事务所(普通合伙) 44487 | 代理人： | 梁超 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种NMOS作为高边开关的驱动电路，电源输入口Vin和电源输出口Vout之间设置有NMOS管M3，MCU输出端连接有电阻RM1，电阻RM1连接有电阻RM2和三极管QM2的基极，电阻RM2和三极管QM2的发射极连接到电阻RM3，电源输入口Vin还连接有二极管MD3的正极，二极管DM3的负极连接有电阻RM4和三极管QM3的发射极，三极管QM2的集电极与三极管QM3的基极和电阻RM4连接，三极管QM3的集电极与电阻RM5连接，电阻RM5与二极管DM2的正极和三极管QM4的基极连接，三级管QM4的发射极与二极管DM2的负极连通并与NMOS管M3连接，三极管QM4的基极和集电极之间连接有电阻RM6，三极管QM4的集电极连接到电源输出口Vout；对于负载端需要通过大电流的，NMOS能满足要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 作为 开关 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳禄华科技有限公司，未经深圳禄华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202122780094.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水利工程施工用的清淤装置
- 下一篇：一种纤维棉生产用裁断热切机构
