[实用新型]一种氮化镓外延片及半导体器件有效
| 申请号： | 202122820596.8 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN216389379U | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李利哲 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/205 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐学青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开一种氮化镓外延片及半导体器件。该氮化镓外延片包括衬底，以及衬底上依次设置的低温AlN缓冲层、高温AlN缓冲层、疏松AlGaN层、铝渐变层、氮化镓过渡层和氮化镓外延层。低温AlN缓冲层和高温AlN缓冲层能够缓冲衬底与氮化镓过渡层之间的晶格失配，疏松AlGaN层能够起到应力缓解的作用，铝渐变层能够提高上方的氮化镓层的晶格匹配，而氮化镓外延通过该氮化镓过渡层能够进一步减少衬底与外延层之间的晶格失配产生的应力，能够防止大尺寸外延片因晶格失配或应力而产生的翘曲，本申请还涉及一种使用氮化镓外延片的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 半导体器件 | ||
【主权项】：
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