[实用新型]基于双极型场效应晶体管的阈值反相器有效

专利信息
申请号: 202122837265.5 申请日: 2021-11-18
公开(公告)号: CN216435900U 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 任天令;鄢诏译;田禾;杨轶 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L27/082 分类号: H01L27/082;H03K3/037;H03M1/36
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 花丽
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提出一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相器,其中,阈值反相器包括:第一匀质反相器至第N匀质反相器,其中,第一匀质反相器至第N匀质反相器的第一端均连接输入电压,第N‑1匀质反相器的第二端连接第N匀质反相器的第三端,并输出第N‑1匀质反相器的输出电压,第N匀质反相器的第二端连接第一供电电压,第一匀质反相器的第三端连接第二供电电压。本申请负责实现器件阈值电压匹配的设计参数完全由双极型场效应晶体管的沟长参数承担,不再需要涉及不同掺杂类型晶体管之间的匹配,设计简单,可以应用到诸如闪烁型模数转换器(Flash ADC)等场合。
搜索关键词: 基于 双极型 场效应 晶体管 阈值 反相器
【主权项】:
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