[实用新型]半导体器件的跳线连接结构有效

专利信息
申请号: 202122900656.7 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN216250719U 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 夏大权;马鹏;周玉凤;闫瑞东;徐向涛;马红强;王兴龙;张成方;李述洲 申请(专利权)人: 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 张博
地址: 405200 重庆市梁平*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构,包括框架本体和跳线单元,所述跳线单元设置为多个,且阵列排布于所述框架本体上,所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。本实用新型可在半导体器件封装时实现双面散热,增大散热面积,增强散热效果,还可以降低导通损耗,使得电流能力得到巨大提高。
搜索关键词: 半导体器件 跳线 连接 结构
【主权项】:
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