[实用新型]一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构有效
| 申请号： | 202122903804.0 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN216450647U | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 马克强;蒋兴莉;胡强;王思亮 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种实现沟槽与电极互联的功率器件版图结构，包括衬底，衬底的底部设置有注入层，衬底的上部设置有发射极沟槽与栅极沟槽，栅极沟槽向外延伸，栅极沟槽内直接开有用于与栅极相连接的第一接触孔，发射极沟槽内直接开有与发射极相连的第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔是通过同一张孔版经过掩膜刻蚀后形成的，第一接触孔与第一金属层相连，第二接触孔与第二金属层相连。本申请通过不增加工艺难度的前提下，实现了不同沟槽与相应电极的互联，提高IGBT的开关频率，降低开关损耗，实现了调整栅极沟槽与发射极沟槽的比例的目的，为实现IGBT高频化设计提供了具体的版图可行性方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 沟槽 电极 功率 器件 版图 结构 | ||
【主权项】：
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