[实用新型]一种自对准分离栅极结构

摘要

本申请涉及半导体制造领域，特别是一种自对准分离栅极结构，其包括衬底，衬底上方设置有第二导电类型，衬底正面的上部设置有多根沟槽，且沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型，沟槽底部设置有第一绝缘层，第一绝缘层上方连接有第二绝缘层，第二绝缘层突出于第二导电类型顶部，第二绝缘层的上方连接有宽度大于第二绝缘层的第三绝缘层，在第二绝缘层长度方向贯穿有与其长度一致的第一导电层，第三绝缘层与第二导电类型之间设置有第一导电类型。本申请通过在器件沟槽内引入双分裂的分立栅电极以及栅电极下方的厚绝缘介质层，在不影响IGBT器件开启阈值电压和开通的情况下，降低米勒电容Cgc，提高了器件的开关速度，从而降低器件动态损耗。