[实用新型]一种降低击穿风险的功率器件版图结构

摘要

本申请涉及半导体制造领域，特别是一种降低击穿风险的功率器件版图结构，其主要包括经过掩膜刻蚀后形成条形状图形的沟槽版，每个沟槽版中间设置有重掺杂N型区域，每个重掺杂N型区域的中间设有与发射极相连的发射极孔版；沟槽版、重掺杂N型区域和发射极孔版共同构成了功率器件的有源区，沟槽版与其外部的多晶版相连，栅极孔版位于所述多晶版上，在版图的角落区域设置为多晶版，多晶版阻隔有源区进入版图的扇形角落区域。本申请通过版图设计对四个角落进行非有源区处理，并且不增加工艺步骤，与原有工艺可以完全兼容的基础上避免了电场和电流的集中，提高了功率器件的可靠性。与传统的有源区相比有源区栅极的引出是通过向内延伸的多晶版实现的。