[实用新型]一种窄能谱离子束产生装置有效

专利信息
申请号: 202122914304.7 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN216435831U 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 苏俊宏;李建超;杨利红;徐均琪;万文博;时凯 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: H01J27/02 分类号: H01J27/02;C23C14/22
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 李凤鸣
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种窄能谱离子束产生装置。该窄能谱离子束产生装置由支架、离子源以及选能器组成,所述离子源可调整竖直方向角度地架设于支架上,在支架上部固定设置有选能器,所述选能器由电磁屏蔽罩和内部固定设置的选能组件构成,所述选能组件由两块永磁铁阵列、矩形磁靴、一对永磁隔绝板和电极组件组成。本窄能谱离子束产生装置由离子源产生宽能谱离子,离子束经选能器进行离子能量选择并最终输出,达到本装置输出的离子能量为0‑500eV可调;最小能带宽在50eV以内。
搜索关键词: 一种 窄能谱 离子束 产生 装置
【主权项】:
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