[实用新型]一种吸嘴结构有效
| 申请号： | 202123016963.5 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN216902872U | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张超;钟磊;李利 | 申请（专利权）人： | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 邓世凤 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种吸嘴结构，涉及芯片焊锡加工设备技术领域，包括用于固定芯片的主体，主体一侧设置有压合区，压合区与芯片之间采用内嵌式安装，主体的内部开设有排气槽，且排气槽的外部周围设置有围栏，主体的外部还安装有外围围栏，外围围栏的尺寸大于围栏，且围栏位于外围围栏的内侧。本申请所述吸嘴结构通过设计有外围围栏，吸嘴压覆时锡材料溢出至结合区域外围即芯片与引线框结合区域，提升了芯片中间层锡的厚度，且通过在排气槽周围设计有围栏，防止锡材料溢出至外围，且采用内嵌式安装芯片，压合区内嵌芯片可防止锡材料溢出至芯片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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