[实用新型]一种半导体清洗改良装置有效
申请号: | 202123069982.4 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN216487971U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 康凯;陈旺;康威;覃伯成 | 申请(专利权)人: | 深圳迪道微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 王华 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坪*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种半导体清洗改良装置,包括清洗槽和设置在清洗槽内的硅片夹,清洗槽底部外接有进液管路,清洗槽侧壁外接有溢流管路,硅片夹内侧沿竖直方向并列设置有若干支架,支架上均垂直清洗槽内壁延伸出若干横梁,水平方向相邻横梁之间距离大于硅片厚度,横梁沿竖直方向对齐形成若干纵列,硅片放置在相邻纵列的横梁之间形成的纵向空间。本实用新型结构简单,通过马达在去离子水浸泡过程中带动硅片夹前后震荡,硅片上的药液与去离子水摩擦接触实现冲洗,提升了清洗效果,使图形密集区的药液及时散开,避免过腐蚀;在喷洗和背洗阶段持续增加新液体,实时溢流排液,改善了清洗槽的换液效果,保证去离子水的清洗能力,节约了水量。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 清洗 改良 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳迪道微电子科技有限公司,未经深圳迪道微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202123069982.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种潜水电磁流量计
- 下一篇:一种电池用电磁流量计
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造