[实用新型]硅片氧化膜成型设备有效
申请号: | 202123111282.7 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN216528928U | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 金津;戴军;吴廷斌;杨欣;赵东旭 | 申请(专利权)人: | 元能微电子科技南通有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李艾 |
地址: | 226000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种硅片氧化膜成型设备,包括氧化腔、隔板、加热单元和通氧管,所述氧化腔内设有传输轨道,所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端;至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元;所述加热单元设置在所述氧化腔单元内;所述通氧管设置在所述氧化腔单元内,所述通氧管的表面具有通氧孔。本实用新型通过设置在所述氧化腔内的传输轨道使硅片能够持续传递,以实现能够硅片能够批量化进行氧化膜形成的目的,通过所述隔板将所述氧化腔分隔成多个所述氧化腔单元,使单一的所述氧化腔单元的容积更小,氧气扩散至整个所述氧化腔单元内的速度更快,氧化的均匀性更好。 | ||
搜索关键词: | 硅片 氧化 成型 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的