[实用新型]一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构

摘要

一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括氮化镓基功率器件，氮化镓基功率器件通过钝化层与后端工艺晶体管相连，钝化层内设置有导电柱，导电柱将氮化镓基功率器件的电极层与后端工艺晶体管的电极层相连，本实用新型的有益效果是，本实用新型在氮化镓基功率器件上单片集成后端工艺晶体管，互连寄生效应小，提升了系统的频率特性，减小了系统的体积，降低了制备成本。