[实用新型]一种基于压磁-压电半导体复合结构的磁场检测装置有效
| 申请号： | 202123246529.6 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN216595466U | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张春利;黄依凡 | 申请（专利权）人： | 浙江大学深圳研究院 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种基于压磁‑压电半导体复合结构的磁场检测装置，所述压磁‑压电半导体器件由传感器单元、金属电极、导线、伺服电机、单片机、电压采集单元、显示器组成。所述传感器单元包括第一压磁层、第二压磁层、第一压电半导体层、第二压电半导体层。所述第一压磁层与第一压电半导体层的极化方向相同，所述第二压磁层与第二压电半导体层的极化方向相同，所述第一压电半导体层与第二压电半导体层的极化方向相反；所述第一压磁层、第一压电半导体层、第二压电半导体层和第二压磁层依次连接。通过压电半导体在磁场中的变形测出磁场大小。比传统的磁场测量方法更加精密，可以同时测量磁场大小和方向，较传统的磁场测量方法更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 压电 半导体 复合 结构 磁场 检测 装置 | ||
【主权项】：
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