[实用新型]一种基于热氧化法制作的集成无源器件有效
| 申请号： | 202123247599.3 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN216528949U | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张宏伟;陈天放 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/01 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于热氧化法制作的集成无源器件，包括：衬底；第一介质层，其位于所述衬底上；以及电容，包括：电容下电极，其位于所述第一介质层中；金属氧化物层，其在第一介质层中位于所述电容下电极上；以及电容上电极，其位于所述金属氧化层上。该集成无源器件采用易形成致密氧化层的金属作为集成无源器件中电容器件的电极，热氧法制作的氧化银、氧化铝或氧化锌作为介质层，可以有效降低介质层厚度，提高电容器件的电容值，而且实施简单、效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 法制 集成 无源 器件 | ||
【主权项】：
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