[实用新型]图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种图形化衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片，衬底包括：衬底本体（110）；周期性的凸起图案结构（120），设置于该衬底本体（110）上；凸起图案结构（120）包括位于顶部的SiO2层或DBR层（122）、位于中部的SOG层（121）以及与衬底本体材质相同的底部图案层（123），且顶部的SiO2层或DBR层（122）的折射率大于中部的SOG层（121）的折射率。在本实用新型中的图形化衬底上生长外延结构时，能够有效阻止靠近衬底处的晶体缺陷向外延结构的量子阱部位蔓延，且该图形化衬底能够有效提高光反射率，两方面协同作用，能够有效提升最终LED芯片的光效。