[实用新型]稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉有效

专利信息
申请号: 202123383164.1 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN216639712U 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 张兴茂;徐慶晧;王忠保;伊冉;闫龙;李小红 申请(专利权)人: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/20;C30B15/00
代理公司: 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 代理人: 孙彦虎
地址: 750000 宁夏回族自*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉,包括主炉体、测温组件,所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层,在中保温层和炉壁外层上设有测温孔,所述测温孔沿主炉体的径向延伸,所述测温孔的一端贯通炉壁外层,所述测温孔的另一端不贯通主保温层,所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件,所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面,所述阻隔件设有贯通的连接孔,所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中,所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴,在中空层中安装阻隔件,阻隔件的设置能阻止中空层中的气体进入测温孔,避免测温玻璃被熏黑,解决了300mm单晶硅片掺砷拉晶工艺不稳的问题。
搜索关键词: 稳定 300 mm 单晶硅 片掺砷 元素 温度 单晶炉
【主权项】:
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