[实用新型]低温度漂移系数的低电源电压基准电路有效
申请号: | 202123418539.3 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN216792774U | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 黄东 | 申请(专利权)人: | 成都环宇芯科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 低温度漂移系数的低电源电压基准电路,涉及集成电路技术,本实用新型包括低电源电压带隙基准电路,还包括:第三MOS管,其栅极连接第二运放的输出端,其源极接高电平,漏极通过第三电阻R3接地,漏极还接第二运放的第二输入端;第四MOS管,其栅极连接第二运放的输出端,其源极接高电平,漏极通过第三晶体管接地,第三晶体管为PNP管,基极接第五MOS管的输出端;第六MOS管,其栅极连接第二运放的输出端,其源极接高电平,漏极接第五MOS管的输出端。本实用新型可以为电路提供一个稳定的偏置电压。 | ||
搜索关键词: | 温度 漂移 系数 电源 电压 基准 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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