[实用新型]低温度漂移系数的低电源电压基准电路有效

专利信息
申请号: 202123418539.3 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN216792774U 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 黄东 申请(专利权)人: 成都环宇芯科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 低温度漂移系数的低电源电压基准电路,涉及集成电路技术,本实用新型包括低电源电压带隙基准电路,还包括:第三MOS管,其栅极连接第二运放的输出端,其源极接高电平,漏极通过第三电阻R3接地,漏极还接第二运放的第二输入端;第四MOS管,其栅极连接第二运放的输出端,其源极接高电平,漏极通过第三晶体管接地,第三晶体管为PNP管,基极接第五MOS管的输出端;第六MOS管,其栅极连接第二运放的输出端,其源极接高电平,漏极接第五MOS管的输出端。本实用新型可以为电路提供一个稳定的偏置电压。
搜索关键词: 温度 漂移 系数 电源 电压 基准 电路
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都环宇芯科技有限公司,未经成都环宇芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202123418539.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top