[实用新型]一种光电二极管及光电二极管探测器有效
申请号: | 202123437530.7 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN216624292U | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 祁春超;樊堃;仇筱乐 | 申请(专利权)人: | 杭州海康威视数字技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/102;H01L27/146 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 王剑 |
地址: | 310051 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括第一导电类型衬底、光电二极管、反射层及第二注入区。第一导电类型衬底具有相对的第一表面和第二表面;第一导电类型衬底的第一表面所在的一侧为入光侧;第一注入区位于第一导电类型衬底中并自第一导电类型衬底的第二表面外露;所述第一注入区的材料为第二导电类型材料;反射层位于第一注入区背离第一导电类型衬底第二表面的一侧;第二注入区位于第一导电类型衬底中并位于第一注入区外围,第二注入区的材料为第一导电类型材料。该结构通过在第一注入区背离第一导电类型衬底第一表面的一侧设置反射层,有利于增加部分入射光的吸收路径,有利于提高光生载流子的产生效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电二极管 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的