[发明专利]一种晶体生长控制方法和系统在审
| 申请号： | 202180000165.7 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112789371A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王宇;官伟明;梁振兴 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/28;C30B28/10;C30B29/22;C30B29/32;C30B29/34 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 袁春晓 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书实施例公开了一种晶体生长控制方法，包括：获取目标时间片内的实际晶体参数；获取目标时间片内的参考晶体参数；基于实际晶体参数和参考晶体参数，确定温度控制参数；基于实际晶体参数和参考晶体参数，确定提拉控制参数；分别基于温度控制参数和提拉控制参数，调节目标时间片之后的下一个时间片的温度和提拉速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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