[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180000640.0 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112956029B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 周以伦;吴芃逸 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/32;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和碳氮化物半导体层。第一氮化物半导体层在衬底上方。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。碳氮化物半导体层位于衬底和第一氮化物半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺赛科（苏州）科技有限公司，未经英诺赛科（苏州）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180000640.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：倒装芯片堆叠结构及其形成方法
- 下一篇：半导体器件结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
