[发明专利]半导体器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202180000644.9 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112956018B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 沈竞宇;赵起越;周春华;杨超;高吴昊;石瑜;魏宝利 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本揭露提供了半导体器件结构及其制造方法。半导体器件结构包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极电极、第一电极、第一通孔和第二通孔。衬底具有第一表面和第二表面。第一氮化物半导体层设置在衬底的第一表面上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙超过第一氮化物半导体层的带隙。栅极电极和第一电极设置在第二氮化物半导体层上。第一通孔从第二表面延伸并电连接到第一电极。第二通孔从第二表面延伸。第一通孔的深度不同于第二通孔的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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