[发明专利]三维存储器器件擦除操作有效
| 申请号： | 202180000743.7 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113168870B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 夏仕钰;许锋;靳磊;远杰;谢学准;陈文强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开的实施方式提供了3D存储器器件和用于操作3D存储器器件的方法。在示例中，3D存储器器件包括多个存储器层和在多个存储器层之间的虚设存储器层，以及NAND存储器串，NAND存储器串延伸穿过存储器层和虚设存储器层。NAND存储器串包括源极、漏极以及在与多个存储器层的交叉处并且在源极与漏极之间的多个存储器单元。3D存储器器件还包括外围电路，外围电路被配置为擦除多个存储器单元。为了擦除多个存储器单元，外围电路包括字线驱动电路，字线驱动电路被配置为在虚设存储器层上施加正偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 器件 擦除 操作 | ||
【主权项】：
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