[发明专利]多遍编程中的负栅极应力操作机器存储器件有效
| 申请号： | 202180001112.7 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113228186B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 董志鹏;向莉;方海闻;张敏;储凌;李海波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了一种存储器件。所述存储器件包括：布置成多行的存储单元的阵列；分别耦合到存储单元的多行的多条字线；以及耦合到字线的外围电路，所述外围电路被配置为对耦合到所述字线中的选定字线的选定行的存储单元执行多遍编程。多遍编程包括多个编程遍。每个编程遍包括编程操作和验证操作。为了执行多遍编程，外围电路被配置为在非最后编程遍中，在编程操作和验证操作之间，对选定行的存储单元中的每个存储单元执行负栅极应力(NGS)操作。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 中的 栅极 应力 操作 机器 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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