[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180001585.7 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113287200B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 胡凯;黄敬源;叶朝栋;章晋汉 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一对第一电极、第二电极、掺杂的氮基半导体层和一对栅极电极。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上。第一和第二氮基半导体层共同具有有源部分和电绝缘部分，电绝缘部分是非半导电的并且围绕有源部分以在其间形成界面。第一电极设置在第二氮基半导体层上。第二电极设置在第二氮基半导体层上方且在第一电极之间。掺杂的氮基半导体层设置在第二氮基半导体层上方、在第一电极之间并围绕第二电极。栅极电极设置在掺杂的氮基半导体层上并且位于第二电极的相对侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺赛科（苏州）科技有限公司，未经英诺赛科（苏州）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180001585.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数据传输的方法及装置
- 下一篇：立方晶氮化硼烧结体及其制造方法和工具
- 同类专利
- 专利分类
