[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180001601.2 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113272970B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮基半导体器件，包括第一以及第二氮基半导体层、第一电极、掺杂的氮基半导体层、第二电极以及栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及围绕有源部分的电绝缘部分。第一电极设置于第二氮基半导体层上。第一电极、掺杂的氮基半导体层、栅极电极以及第二电极设置于第二氮基半导体层上。每一掺杂的氮基半导体层具有背向第二电极且与界面隔开的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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