[发明专利]扇出型封装及扇出型封装的制备方法在审

专利信息
申请号: 202180002077.0 申请日: 2021-07-28
公开(公告)号: CN113785393A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 燕英强;胡川;陈志宽;陈志涛 申请(专利权)人: 广东省科学院半导体研究所
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 刘曾
地址: 510650 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及芯片封装领域,提供一种扇出型封装以及扇出型封装的制备方法。扇出型封装具有一颗或两颗以上相同或不同功能的芯片、粘合材料层、散热片、包封材料层、封装线路以及对所述封装线路进行保护的封装线路保护层;所述芯片的背面通过所述粘合材料层贴装于所述散热片的芯片贴装区域;在所述芯片的正面覆盖临时保护材料;所述包封材料层通过包封材料流入并填充所述临时保护材料与所述散热片之间的间隙和/或覆盖所述散热片的与贴装有所述芯片的一侧相反的一侧,然后去除所述临时保护材料而形成,由此所述包封材料层覆盖所述芯片、所述粘合材料层和所述散热片;所述封装线路是在所述芯片的正面、所述包封材料以及所述散热片上生长而成的。能够实现散热性好、可提高器件工作功率并降低功耗、适用于高功率密度芯片。
搜索关键词: 扇出型 封装 制备 方法
【主权项】:
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