[发明专利]三维NAND存储器器件及其形成方法

摘要

在用于制造半导体器件的方法中，在衬底之上形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的堆叠体。在所述堆叠体中形成具有多个台阶的阶梯，其中，所述多个台阶中的每一个具有踏板和竖板，并且还包括相应台阶的相应对的绝缘层和牺牲层，所述牺牲层位于所述绝缘层之上。沿所述多个台阶的所述踏板和所述竖板形成电介质层。所述电介质层掺杂有碳、磷、硼、砷和氧中的一种或者它们的组合。还利用导电材料替代所述牺牲层，以形成布置在所述绝缘层之间的字线层。多个字线触点被形成为从所述多个台阶的所述字线层延伸并且还延伸穿过所述电介质层。