[发明专利]三维NAND存储器器件及其形成方法在审
申请号: | 202180003231.6 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN113950742A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 王雄禹;周毅;张莉;王新胜;罗兴安;张高升;夏余平;谢飞 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11524;H01L27/11551 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在用于制造半导体器件的方法中,在衬底之上形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的堆叠体。在所述堆叠体中形成具有多个台阶的阶梯,其中,所述多个台阶中的每一个具有踏板和竖板,并且还包括相应台阶的相应对的绝缘层和牺牲层,所述牺牲层位于所述绝缘层之上。沿所述多个台阶的所述踏板和所述竖板形成电介质层。所述电介质层掺杂有碳、磷、硼、砷和氧中的一种或者它们的组合。还利用导电材料替代所述牺牲层,以形成布置在所述绝缘层之间的字线层。多个字线触点被形成为从所述多个台阶的所述字线层延伸并且还延伸穿过所述电介质层。 | ||
搜索关键词: | 三维 nand 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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