[发明专利]三维NAND存储器器件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202180003231.6 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113950742A 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 王雄禹;周毅;张莉;王新胜;罗兴安;张高升;夏余平;谢飞 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11524;H01L27/11551
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 林锦辉;刘景峰
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在用于制造半导体器件的方法中,在衬底之上形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的堆叠体。在所述堆叠体中形成具有多个台阶的阶梯,其中,所述多个台阶中的每一个具有踏板和竖板,并且还包括相应台阶的相应对的绝缘层和牺牲层,所述牺牲层位于所述绝缘层之上。沿所述多个台阶的所述踏板和所述竖板形成电介质层。所述电介质层掺杂有碳、磷、硼、砷和氧中的一种或者它们的组合。还利用导电材料替代所述牺牲层,以形成布置在所述绝缘层之间的字线层。多个字线触点被形成为从所述多个台阶的所述字线层延伸并且还延伸穿过所述电介质层。
搜索关键词: 三维 nand 存储器 器件 及其 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202180003231.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top